我們知道每種電容都有它的頻率特性，那么AVX鉭電容的頻率特性是怎么樣的呢?AVX鉭電容隨著頻率的增加有效電容的值會(huì)減小，直到共振達(dá)到(通常是0.5-5MHZ之間)。
    下面以AVX貼片鉭電容E型的220UF10V規(guī)格為例，深圳市宗盛源科技有限公司來(lái)為大家說(shuō)明鉭電容的頻率特性AVX鉭電容溫度特性曲線(xiàn)。
    AVX鉭電容的溫度特征鉭電容器的電容隨溫度變化而發(fā)生變化。這種變化本身就是一個(gè)小的程度上依賴(lài)額定思瑞三坐標(biāo)和電容的大小。從下面的溫度曲線(xiàn)圖上可以看出在工作溫度范圍內(nèi)，鉭電容和鈮電容的容量會(huì)隨著溫度的上升而上升。
    損耗角正切(TAN)這是一個(gè)在電容器的能量損耗的測(cè)量。它表示為棕褐色，是電容器的功率損耗其無(wú)功功率分為一組指定的正弦思瑞三坐標(biāo)頻率。它用的術(shù)語(yǔ)是功率因數(shù)、損耗因子和介電損耗。COS(90-)是真正的功率因素。使用測(cè)量進(jìn)行測(cè)量譚橋梁提供一個(gè)0.5VRMS120HZ的正弦信號(hào)。
    耗散與溫度的關(guān)系耗散系數(shù)隨溫度變化的典型曲線(xiàn)表演。這些地塊是鉭和OXICAP相同電容器。
    耗散因數(shù)測(cè)量的切線(xiàn)損耗角(TAN)，以百分比表示。測(cè)量DF是開(kāi)展測(cè)量橋梁供應(yīng)一個(gè)0.5VRMS120HZ的正弦信號(hào)，諧波與2.2VDC.DF值是溫度和頻率依賴(lài)性。
    耗散因素的頻率依賴(lài)性隨著頻率的增加損耗因素所示鉭和OXICAP電容器的典型曲線(xiàn)相同，這是電流思瑞三坐標(biāo)的比值，在指定的頻率。三個(gè)因素促成了鉭電容器的阻抗，半導(dǎo)體層的電阻電容、電極和引線(xiàn)電感，在高頻率導(dǎo)致的電感成為一個(gè)限制因素。溫度和頻率的行為確定這三個(gè)因素的阻抗行為，阻抗Z阻抗是在25度和100KHZ。
    AVX鉭電容的等效串聯(lián)電阻ESR阻力損失發(fā)生在一切可行的形式電容器。這些都是由幾種不同的機(jī)制，包括電阻元件和觸點(diǎn)、粘性勢(shì)力內(nèi)介質(zhì)和生產(chǎn)旁路的缺陷電流路徑。為了表達(dá)對(duì)他們的這些損失的影響視為電容的ESR.ESR的頻率依賴(lài)性和可利用的關(guān)系。
    AVX鉭電容的阻抗和ESR的頻率依賴(lài)性ESR和阻抗都隨頻率增加，在較低頻率值作為額外的貢獻(xiàn)分歧阻抗變得更加重要。
    AVX鉭電容能承受的思瑞三坐標(biāo)和電流浪涌能力是有限的，這是基于所有電解電容的共同屬性，一個(gè)值夠高的電應(yīng)力會(huì)穿過(guò)電介質(zhì)，從而破壞了介質(zhì)。例如一個(gè)6伏的鉭電容在額定思瑞三坐標(biāo)運(yùn)行時(shí)，有一個(gè)167千伏/毫米思瑞三坐標(biāo)的電場(chǎng)。因此一定要確保整個(gè)電容器終端的思瑞三坐標(biāo)決不會(huì)超過(guò)規(guī)定的浪涌思瑞三坐標(biāo)評(píng)級(jí)。作為鉭電容負(fù)極板層使用的半導(dǎo)體，二氧化錳有自愈能力。然而，這種低阻是有限的，在低阻抗電路的情況下，電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓的電容增加了元件的可靠性。額定思瑞三坐標(biāo)使用上常見(jiàn)的思瑞三坐標(biāo)軌跡、低阻抗鉭電容在電路進(jìn)行快速充電或放電時(shí)，保護(hù)電阻建議為1Ω/V，如果達(dá)不到此要求應(yīng)使用鉭電容器降壓系數(shù)高達(dá)70%，在這種情況下，可能需要更高的思瑞三坐標(biāo)比作為一個(gè)單一的電容。A系列組合應(yīng)被告用來(lái)增加工作思瑞三坐標(biāo)的等效電容器。
    例如，兩個(gè)22UF25V系列部分相當(dāng)于一個(gè)11UF50V的一部分。是指電容在很短的時(shí)間經(jīng)過(guò)最小的串聯(lián)電阻的電路330HMS(CECC國(guó)家1KΩ)能承受的最高思瑞三坐標(biāo)。浪涌思瑞三坐標(biāo)常溫下一個(gè)小時(shí)時(shí)間內(nèi)可達(dá)到高達(dá)10倍額度思瑞三坐標(biāo)并高達(dá)30秒的時(shí)間。浪涌思瑞三坐標(biāo)只作為參考參數(shù)，不能用作電路設(shè)計(jì)的依據(jù)，在正常運(yùn)行過(guò)程中，電容應(yīng)定期充電和放電。不同溫度下浪涌思瑞三坐標(biāo)的值是不一樣的，在85度及以下溫度時(shí)，分類(lèi)思瑞三坐標(biāo)VC等于額定思瑞三坐標(biāo)VR，浪涌思瑞三坐標(biāo)VS等于額定思瑞三坐標(biāo)VR的1.3倍;在85-125度時(shí)，分類(lèi)思瑞三坐標(biāo)VC等于額定思瑞三坐標(biāo)VR的0.66倍，浪涌思瑞三坐標(biāo)VS等于分類(lèi)思瑞三坐標(biāo)VC的1.3倍。
    鉭電容的反向思瑞三坐標(biāo)AVX鉭電容的反向思瑞三坐標(biāo)是有嚴(yán)格的限制的，具體如下：
    在1.0V25度條件下最大為10%的額定直流工作思瑞三坐標(biāo)在0.5V85度條件下最大為3%的額定直流工作思瑞三坐標(biāo)在0.1V125度條件下最大為1%的額定直流工作思瑞三坐標(biāo)反向思瑞三坐標(biāo)值均以鉭電容在任何時(shí)間上的最高思瑞三坐標(biāo)值為準(zhǔn)，這些限制是假設(shè)鉭電容器偏振光在其大多數(shù)的正確方向工作壽命。他們的目的是涵蓋短期逆轉(zhuǎn)如發(fā)生在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)極性期間的一個(gè)印象深刻的波形的一小部分。連續(xù)施加反向思瑞三坐標(biāo)會(huì)導(dǎo)致兩極分化，將導(dǎo)致漏電流增大。在何種情況下連續(xù)反向應(yīng)用思瑞三坐標(biāo)可能會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)類(lèi)似的電容應(yīng)采用與負(fù)端接回配置連接在一起。在大多數(shù)情況下這種組合將有一個(gè)標(biāo)稱(chēng)電容。
    鉭電容的疊加交流思瑞三坐標(biāo)(Vr.m.s.)——又稱(chēng)紋波思瑞三坐標(biāo)這是最大的r.m.s.交流思瑞三坐標(biāo)，疊加一個(gè)特區(qū)思瑞三坐標(biāo)，可應(yīng)用到一個(gè)電容。、