廠家出售開關(guān)電源線調(diào)光調(diào)速調(diào)壓插頭電線燈具燈飾配件
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產(chǎn)品價格:¥1(人民幣)
  • 規(guī)格:開關(guān)電源線
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    商品詳情

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      在一個存儲器中容納的存儲單元總數(shù)通常稱為該存儲器的存儲容量。存儲容量用字?jǐn)?shù)或字節(jié)數(shù)(B)來表示,如64K字,512KB,10MB。外存中為了表示更大的存儲容量,采用MB,GB,TB等單位。其中1KB=2^10B,1MB=2^20B,1GB=2^30B,1TB=2^40B。B表示字節(jié),一個字節(jié)定義為8個二進(jìn)制位,所以計算機中一個字的字長通常為8的倍數(shù)。存儲容量這一概念反映了存儲空間的大小。

      時間

      又稱存儲器訪問時間或讀∕寫時間,是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時間。具體講,從一次讀操作命令發(fā)出到該操作完成,將數(shù)據(jù)讀入數(shù)據(jù)緩沖寄存器為止所經(jīng)歷的時間,即為存儲器存取時間

      周期

      是指連續(xù)啟動兩次獨立的存儲器操作(如連續(xù)兩次讀操作)所需間隔的最小時間。通常,存儲周期略大于存儲時間,其時間單位為ns

      產(chǎn)品分類

      RAM是構(gòu)成內(nèi)存的主要部分,其內(nèi)容可以根據(jù)需要隨時按地址讀出或?qū)懭耄阅撤N電觸發(fā)器的狀態(tài)存儲,斷電后信息無法保存,用于暫存數(shù)據(jù),又可分為DRAM和SRAM兩種。RAM一般使用動態(tài)半導(dǎo)體存儲器件(DRAM)。因為CPU工作的速度比RAM的讀寫速度快,所以CPU讀寫RAM時需要花費時間等待,這樣就使CPU的工作速度下降。人們?yōu)榱颂岣逤PU讀寫程序和數(shù)據(jù)的速度,在RAM和CPU之間增加了高速緩存(Cache)部件。Cache的內(nèi)容是隨機存儲器(RAM)中部分存儲單元內(nèi)容的副本。
      ROM是只讀存儲器,出廠時其內(nèi)容由廠家用掩膜技術(shù)寫好,只可讀出,但無法改寫。信息已固化在存儲器中,一般用于存放系統(tǒng)程序BIOS和用于微程序控制。
      PROM是可編程ROM,只能進(jìn)行一次寫入操作(與ROM相同),但是可以在出廠后,由用戶使用特殊電子設(shè)備進(jìn)行寫入。
      EPROM是可擦除的PROM,可以讀出,也可以寫入。但是在一次寫操作之前必須用紫外線照射,以擦除所有信息,然后再用EPROM編程器寫入,可以寫多次。
      EEPROM是電可擦除PROM,與EPROM相似,可以讀出也可寫入,而且在寫操作之前,不需要把以前內(nèi)容先擦去,能夠直接對尋址的字節(jié)或塊進(jìn)行修改。
      閃速存儲器(Flash Memory),其特性介于EPROM與EEPROM之間。閃速存儲器也可使用電信號進(jìn)行快速刪除操作,速度遠(yuǎn)快于EEPROM。但不能進(jìn)行字節(jié)級別的刪除操作,其集成度高于EEPROM。[1] 

      連接控制

      容量擴展

      由于存儲芯片容量有限,主存儲器往往要是由一定數(shù)量的
      模型
      芯片構(gòu)成的位擴展:位擴展是指只在位數(shù)方面擴展(加大字長),而芯片的字?jǐn)?shù)和存儲器的字?jǐn)?shù)。位擴展的連接方式是將各存儲芯片地址線片選線和讀寫線相應(yīng)地并聯(lián)起來,而將各芯片的數(shù)據(jù)線單獨列出字?jǐn)U展:字?jǐn)U展是指僅在字?jǐn)?shù)方面擴展,而位數(shù)不變。字?jǐn)U展將芯片的地址線數(shù)據(jù)線、讀寫控制線并聯(lián),而片選信號來區(qū)分各個芯片字和位同時擴展:當(dāng)構(gòu)成一個容量較大的容器時,往往需要在字?jǐn)?shù)方向和位數(shù)方向上同時擴展。

      芯片片選

      CPU要實現(xiàn)對存儲單元的訪問,首先要選擇存儲芯片,即進(jìn)行片選;然后再從選中的芯片中依地址碼選擇出相應(yīng)的存儲單元,以進(jìn)行數(shù)據(jù)的存取,這稱為字選。片內(nèi)的字
      構(gòu)造圖
      選是由CPU送出的N條低位地址線完成的,地址線直接接到所有存儲芯片的地址輸入端,而存儲芯片的片選信號則大多是通過高位地址譯碼后產(chǎn)生的。
      線選法:
      線選法就是用除片內(nèi)尋址外的高位地址線直接分別接至各個存儲芯片片選端,當(dāng)某地址線信息為0時,就選中與之對應(yīng)的存儲芯片。這些片選地址線每次尋址時只能有一位有效,不允許同時有多位有效,這樣才能保證每次只選中一個芯片。線選法不能充分利用系統(tǒng)的存儲器空間,把地址空間分成了相互隔離的區(qū)域,給編程帶來了一定困難。
      全譯碼法:
      譯碼法將除片內(nèi)尋址外的全部高位地址線都作為地址譯碼器的輸入,譯碼器的輸出作為各芯片的片選信號,將它們分別接到存儲芯片的片選端,以實現(xiàn)對存儲芯片的選擇。全譯碼法的優(yōu)點是每片芯片的地址范圍是唯一確定的,而且是連續(xù)的,也便于擴展,不會產(chǎn)生地址重疊的存儲區(qū),但全譯碼法對譯碼電路要求較高。
      部分譯碼法:所謂部分譯碼法即用除片內(nèi)尋址外的高位地址的一部分來譯碼產(chǎn)生片選信號,部分譯碼法會產(chǎn)生地址重疊。

      連接方法

      主存與CPU之間的硬連接:主存與CPU的硬連接有三組連線:地址總線(AB)、數(shù)據(jù)總線(DB)和控制總線(CB)。把主存看作一個黑盒子,存儲器地址寄存器(MAR)和存儲器數(shù)據(jù)寄存器(MDR)是主存和CPU之間的接口。MAR可以接收由程序計數(shù)器(PC)的指令地址或來自運算器操作數(shù)的地址,以確定要訪問的單元。MDR是向主存寫入數(shù)據(jù)或從主存讀出數(shù)據(jù)的緩沖部件。MAR和MDR從功能上看屬于主存,但通常放在CPU內(nèi)。
      CPU對主存的基本操作:CPU對主存進(jìn)行讀寫操作時
      模擬圖
      ,首先CPU在地址總線上給出地址信號,然后發(fā)出相應(yīng)的讀寫命令,并在數(shù)據(jù)總線上交換信息。讀寫基本操作如下:
      讀:讀操作是指從CPU送來的地址所指定的存儲單元中取出信息,再送給CPU,其操作過程如下:
      地址——>MAR——ABCPU將地址信號送至地址總線

      發(fā)讀命令

      WaitForMFC等待存儲器工作完成信號
      M(MAR)——>DB——>MDR讀出信息經(jīng)數(shù)據(jù)總線至CPU
      寫:寫操作是指將要寫入的信息存入CPU所指定的存儲單元中,其操作過程是:
      地址——>MAR——>ABCPU將地址信號送至地址總線
      數(shù)據(jù)——>MDR——>DBCPU將要寫入的數(shù)據(jù)送至數(shù)據(jù)總線

      發(fā)寫命令

      WaitForMFC等待存儲器工作完成信號
      CPU與主存之間的速度匹配:同步存儲器讀取和異步存儲器讀取。
      異步存儲器讀取:CPU和主存間沒有統(tǒng)一的時鐘,由主存工作完成信號(MFC)通知CPU“主存工作已完成”。
      同步存儲器讀取:CPU和主存采用統(tǒng)一時鐘,同步工作,因為主存速度較慢,所以CPU與之配合必須放慢速度,在這種存儲器中,不需要主存工作完成信號。

      應(yīng)用技術(shù)

      快速讀寫

      快速頁式工作技術(shù)(動態(tài)存儲器的快速讀寫技術(shù)):讀寫動態(tài)存儲器同一行的數(shù)據(jù)時,其行地址第一次讀寫時鎖定后保持不變,以后讀寫該行多列中的數(shù)據(jù)時,僅鎖存列地址即可,省去了鎖存行地址的時間,加快了主存儲器的讀寫速度。
      EDO(ExtendedDataOut)技術(shù):在快速頁式工作技術(shù)上,增加了數(shù)據(jù)輸出部分的數(shù)據(jù)鎖存線路,延長輸出數(shù)據(jù)的有效保持時間,從而地址信號改變了,仍然能取得正確的讀出數(shù)據(jù),可以進(jìn)一步縮短地址送入時間,更加快了主存儲器的讀寫速度。

      并行讀寫

      是指在主存儲器的一個工作周期(或較長)可以讀出多個主存字所采用的技術(shù)。
      方案1:一體多字結(jié)構(gòu),即增加每個主存單元所包括的數(shù)據(jù)位,使其同時存儲幾個主存字,則每一次讀操作就同時讀出了幾個主存字。
      方案2:多體交叉編址技術(shù),把主存儲器分成幾個能獨立讀寫的、字長為一個主存字的主體,分別對每一個存儲體進(jìn)行讀寫;還可以使幾個存儲體協(xié)同運行,從而提供出比單個存儲體更高的讀寫速度。
      有兩種方式進(jìn)行讀寫:
      1在同一個讀寫周期同時啟動所有主存體讀或?qū)憽?
      2讓主存體順序地進(jìn)行讀或?qū)懀匆来巫x出來的每一個存儲字,可以
      主存儲器
      通過數(shù)據(jù)總線依次傳送走,而不必設(shè)置專門的數(shù)據(jù)緩沖寄存器;其次,就是采用交叉編址的方式,把連續(xù)地址的幾個存儲字依次分配在不同的存儲體中,因為根據(jù)程序運行的局部性特性,短時間內(nèi)讀寫地址相鄰的主存字的概率更大。

      數(shù)據(jù)傳送

      所謂成組數(shù)據(jù)傳送就是地址總線傳送一次地址后,能連續(xù)在數(shù)據(jù)總線上傳送多個數(shù)據(jù)。而原先是每傳送一次數(shù)據(jù)要使用兩個時鐘周期:先送一次地址,后跟一次數(shù)據(jù)傳送,即要傳送N個數(shù)據(jù),就要用2N個總線時鐘周期,成組數(shù)據(jù)傳送方式只用N+1個總線時鐘周期。
      實現(xiàn)成組數(shù)據(jù)傳送方式,不僅CPU要支持這種運行方式,主存也能提供足夠高的數(shù)據(jù)讀寫速度,這往往通過主存的多體結(jié)構(gòu)、動態(tài)存儲器的EDO支持等措施來實現(xiàn)。

      動靜態(tài)

      靜態(tài)

      教學(xué)計算機內(nèi)存儲器組成與設(shè)計
      (1)靜態(tài)存儲器的存儲原理和芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)(P207)
      (2)教學(xué)計算機內(nèi)存儲器的組成與設(shè)計
      地址總線:記為AB15~AB0,統(tǒng)一由地址寄存器AR驅(qū)動,地址寄存器AR只接收ALU輸出的信息。
      控制總線:控制總線的信號由譯碼器74LS139給出,功能是指出總線周期的類型:
      (1)內(nèi)存寫周期用MMW信號標(biāo)記
      (2)內(nèi)存讀周期用MMR信號標(biāo)記

      相關(guān)示意圖(2張)
      (3)外設(shè)(接口)寫周期用IOW信號標(biāo)記
      (4)外設(shè)(接口)讀周期用IOR信號標(biāo)記
      (5)內(nèi)存在工作用MMREQ信號標(biāo)記
      (6)外設(shè)在工作用IOREQ信號標(biāo)記
      (7)寫控存周期用SWA信號標(biāo)記
      數(shù)據(jù)總線:分為內(nèi)部數(shù)據(jù)總線IB與外部數(shù)據(jù)總線DB兩部分。主要完成計算機各功能部件之間的數(shù)據(jù)傳送。設(shè)計總線的核心技術(shù)是要保證在任何時刻只能把一組數(shù)據(jù)發(fā)送到總線上,卻允許一個和多個部件同時接受總線上的信息。所用的電路通常為三態(tài)門電路。
      系統(tǒng)時鐘及時序:教學(xué)機晶振1.8432MHz,3分頻后用614.4KHz的時鐘作為系統(tǒng)主時鐘,使CPU、內(nèi)存、IO同步運行。CPU內(nèi)部的有些寄存器用時鐘結(jié)束時的上升沿完成接受數(shù)據(jù),而通用寄存器是用低電平接收的。內(nèi)存或I/O讀寫操作時,每個總線周期由兩個時鐘組成,第一個時鐘,稱為地址時間,用于傳送地址;第二個時鐘,稱為數(shù)據(jù)時間,用于讀寫數(shù)據(jù)

       

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