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目前比較成熟的III族氮化物多采用藍寶石材料作為襯底，由于藍寶石襯底的絕緣性，所以普通的GaN基LED采用正裝結構。正裝結構示意圖如所示，有源區(qū)發(fā)出的光經由P型GaN區(qū)和透明電極出射。該結構簡單，制作工藝相對成熟。然而正裝結構LED有兩個明顯的缺點，首先正裝結構LEDp、n電極在LED的同一側，電流須橫向流過n-GaN層，導致電流擁擠，局部發(fā)熱量高，限制了驅動電流；其次，由于藍寶石襯底的導熱性差，嚴重的阻礙了熱量的散失。
