NP1216DR-G南麟12V P溝道增強(qiáng)型MOSFET
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產(chǎn)品價(jià)格:¥0.11(人民幣)
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    商品詳情

      NP1216DR-G南麟12V P溝道增強(qiáng)型MOSFET

      NP1216DR-G南麟12V P溝道增強(qiáng)型MOSFET

      NP1216DR-G南麟12V P溝道增強(qiáng)型MOSFET


      描述

      NP1216DR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)

      提供出色的RDS(ON)

      一般特征

      、低柵極電荷和

      柵極電壓低至1.8V時(shí)運(yùn)行。這

      該裝置適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM

      應(yīng)用。? VDS=-12V,ID

      R=-16A

      DS(ON)(典型值)=18米? @VGS

      R=-2.5V

      DS(開)(典型值)=13m? @VGS

      ? 高功率和電流處理能力

      =-4.5V

      ? 獲得無鉛產(chǎn)品

      ? 表面貼裝封裝

      應(yīng)用

      ? PWM應(yīng)用

      ? 負(fù)荷開關(guān)

      包裹

      ? DFN2*2-6L-B

      NP1216DR-G南麟12V P溝道增強(qiáng)型MOSFET


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