TOREX不斷革新電子產品工藝,引領電子元器件的新潮,研發滿足一代又一代電子產品的新產品。不僅在外形上滿足不斷集成度越來越高、器件越來越小的需求,同時在質量和功能上,也越來越滿足從多電子廠家的期待。
XP152A12C0MR結構:
它用一塊P型硅半導體材料作襯底,在其面上擴散了兩個N型區,再在上面覆蓋一層二氧化硅(SiQ2)絕緣層,最后在N區上方用腐蝕的方法做成兩個孔,用金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個孔內做成三個電極:G(柵極)、S(源極)及D(漏極)
詳細介紹:
RoHS:是
類別:分離式半導體產品 >> FET - 單
標準包裝:1,000
系列:MESH OVERLAY�6�4
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss):200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250�0�8A
閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V
功率 - 最大:40W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220FP
包裝:管件
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