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APRO工業(yè)寬溫CF卡采用了先進(jìn)的Hyperstone閃存控制芯片和NAND類(lèi)型的SLC閃存技術(shù)，工業(yè)級(jí)寬溫CF卡工作溫度是 -40℃ ～ +85℃。寬溫CF的優(yōu)點(diǎn)在于數(shù)據(jù)的不丟失和使用半導(dǎo)體存儲(chǔ)媒介，所以寬溫CF比硬盤(pán)堅(jiān)固，而且功耗只有小型硬盤(pán)的5%。寬溫CF廣泛用于掌上電腦、個(gè)人數(shù)字助理數(shù)字照相機(jī)、筆記本電腦、工業(yè)PC機(jī)等存儲(chǔ)裝置。如果把寬溫CF插入到一個(gè)x86系統(tǒng)的IDE適配器中，它就可以當(dāng)作傳統(tǒng)的硬盤(pán)來(lái)使用。|
●符合RoSH環(huán)保 有
●兼容性 ATAPI-6和Ture IDE
●閃存技術(shù) NAND型SLC Flash
●樣式 CF卡Ⅰ型
◆連接 50針插孔
●系統(tǒng)性能
◆數(shù)據(jù)傳輸方式 PIO-4或者UDMA-4
◆數(shù)據(jù)傳輸速率 66.6MB/sec 在UDMA-4方式下測(cè)試速度
◆連續(xù)讀 40.0MB/sec(Max)
◆連續(xù)寫(xiě) 20.0MB/sec(Max)
◆平均訪問(wèn)時(shí)間 0.2ms(估計(jì))
●環(huán)境指標(biāo)
◆工作溫度 -40℃ ～ +85℃
◆非工作溫度 -50℃ ～ +95℃
◆濕度 5% ～95%(無(wú)凝結(jié))
◆噪聲 0db
◆抗震動(dòng) 15G,符合美軍準(zhǔn)MIL-STD-810F
◆抗沖擊 1.500G,符合美軍準(zhǔn)MIL-STD-810F
◆高度 70.000M
●功耗
◆電壓要求 +5V±10% ; +3.3V±5%
◆讀電流 124.00 mA(Max.);
◆寫(xiě)電流 121.00 mA(Max.);
◆休眠模式電流 1.80 mA(Max.);
●可靠性
◆MTBF（無(wú)故障工作時(shí)間） 1.000.000小時(shí)以上
◆糾錯(cuò)碼 采用4 bits ECC Code
◆讀寫(xiě)次數(shù) 2.000.000次
◆數(shù)據(jù)可靠性 每讀 1014 比特出現(xiàn)不多于1次不可恢復(fù)的錯(cuò)誤
◆數(shù)據(jù)保存期 10年
●物理尺度
◆重量 (最大的) 15.0 g (0.53 oz )
◆尺寸(寬*長(zhǎng)*高) 42.8mm*36.4mm*3.3mm
●質(zhì)保 5年 |
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工作溫度 |
-40℃ ～ +85℃ | |||
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封裝類(lèi)型 |
采用金屬封裝 | |||
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傳輸方式 |
PIO-4 |
UDMA-4 | ||
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類(lèi)型 |
存儲(chǔ)盤(pán) |
啟動(dòng)盤(pán) |
存儲(chǔ)盤(pán) |
啟動(dòng)盤(pán) |
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128M |
WRCFC128M-HAISI-PR |
WRCFC128M-HAISI-PF |
WRCFC128M-HAISI-UR |
WRCFC128M-HAISI-UF |
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256M |
WRCFC256M-HAISI-PR |
WRCFC256M-HAISI-PF |
WRCFC256M-HAISI-UR |
WRCFC256M-HAISI-UF |
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512M |
WRCFC512M-HAISI-PR |
WRCFC512M-HAISI-PF |
WRCFC512M-HAISI-UR |
WRCFC512M-HAISI-UF |
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1G |
WRCFC001G-HAISI-PR |
WRCFC001G-HAISI-PF |
WRCFC001G-HAISI-UR |
WRCFC001G-HAISI-UF |
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2G |
WRCFC002G-HAISI-PR |
WRCFC002G-HAISI-PF |
WRCFC002G-HAISI-UR |
WRCFC002G-HAISI-UF |
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4G |
WRCFC004G-HAISI-PR |
WRCFC004G-HAISI-PF |
WRCFC004G-HAISI-UR |
WRCFC004G-HAISI-UF |
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8G |
WRCFC008G-HAISI-PR |
WRCFC008G-HAISI-PF |
WRCFC008G-HAISI-UR |
WRCFC008G-HAISI-UF |
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16G |
WRCFC016G-HAISI-PR |
WRCFC016G-HAISI-PF |
WRCFC016G-HAISI-UR |
WRCFC016G-HAISI-UF |
