TSXCDP501工程設計

TSXCDP501工程設計 采用了三項新的高壓變頻技術：

一是在輸出逆變部分采用了具有電源的單相橋式SPWM逆變器的直接串聯(lián)疊加;

二是在輸入整流部分采用了多相多重疊加整流技術;

三是在結構上采用了功率單元模塊化技術。

型號說明

 當每相由3個額定電壓為480V的功率單元串聯(lián)時，變頻器輸出額定電壓為2300V；當每相由4個額定電壓為480V的功率單元串聯(lián)時，變頻器輸出額定電壓為3300V；當每相由5個額定電壓為480V的功率單元串聯(lián)時，變頻器輸出額定電壓為4160V；當每相由5個額定電壓為1275V的功率單元串聯(lián)時，變頻器輸出額定電壓為10kV左右。所以，單元的電壓等級和串聯(lián)數(shù)量決定變頻器輸出電壓，單元的額定電流決定變頻器輸出電流。

1	單元控制板A1A10000432.53M
2	單元控制板A1A10000432.02M
3	單元控制板A1A10000432.54M
4	單元控制板A1A10000432.72M
5	單元控制板A1A10000432.30M
6	單元控制板A1A10000432.31M
7	單元控制板A1A10000432.34M
8	單元控制板A1A10000432.71M
9	數(shù)字調(diào)制板A1A10000225.00
10	數(shù)字調(diào)制板A1A10000350.00M
11	光纖接口板A1A252241.55S
12	光纖接口板A1A461D85.00
13	電源接口板A1A460T46.01T
14	IGBT模塊LDZ10503106
15	IGBT模塊LDZ10503117
16	IGBT模塊LDZ10503116
17	IGBT模塊LDZ10503107
18	IGBT模塊LDZ10503110
19	IGBT模塊LDZ10503108
20	IGBT模塊LDZ0960070C
21	功率單元LDZ31500082.315
22	功率單元LDZ31500082.375
23	功率單元LDZ1450100.260
24	功率單元LDZ31500082.500
25	功率單元LDZ31000082.660C
26	功率單元LDZ14501000.070
27	功率單元LDZ14501000.100
28	功率單元LDZ14501002.200
29	功率單元LDZ14501001.140
30	功率單元LDZ14501002.260
31	CPU板套件LDZ10000623.00C
32	總線底板LDZ363628.00C
33	數(shù)字調(diào)制板LDZ10000225.00C
34	光纖接口板LDZ252241.55SC
35	模數(shù)轉(zhuǎn)換板LDZ363629.00C
36	接口板LDZ10000423.00C
37	調(diào)理板LDZ10000103.01C
38	串行通訊板LDZ363818.00C
39	健盤套件LDZ252090.11NGSC

TSXCDP501工程設計 　　他對力拓團體過去一年取得的后果祝賀，并祝愿力拓往年取得更好的后果。余德輝，中鋁團體與力拓團體有著優(yōu)勝的協(xié)作基礎，雙方的交換溝通機制可以臨時保持，其實不時豐富交換和層次，確保取得實踐成效。余德輝，中鋁團體作為力拓團體十分的單一股東，添加在力拓董事會的話語權。