芯片高溫老化壽命試驗（HTOL）
  高溫老化壽命試驗(HTOL)
  參考標準：JESD22-A108；
  測試條件：
  For devices containing NVM,endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.
  Grade 0:+150℃Ta for 1000 hours.
  Grade 1:+125℃Ta for 1000 hours.
  Grade 2:+105℃Ta for 1000 hours.
  Grade 3:+85℃Ta for 1000 hours.
  Vcc(max)at which dc and ac parametric are guaranteed.Thermal shut-down shall not occur during this test.
  TEST before and after HTOL at room,hot,and cold temperature.
  廣州廣電計量檢測股份有限公司（GRGT）是原信息產業部電子602計量站，經過50余年的發展，現已成為一家全國化、綜合性的國有第三方計量檢測機構，專注于為客戶提供計量、檢測、認證以及技術咨詢與培訓等專業技術服務，在計量校準、可靠性與環境試驗、元器件篩選與失效分析檢測、車規元器件認證測試、電磁兼容檢測等多個領域的技術能力及業務規模處于國內*水平。
  GRGT目前具有以下芯片相關測試能力及技術服務能力：
  芯片可靠性驗證(RA)：
  芯片級預處理(PC)&MSL試驗、J-STD-020&JESD22-A113；
  高溫存儲試驗(HTSL),JESD22-A103；
  溫度循環試驗(TC),JESD22-A104；
  溫濕度試驗(TH/THB),JESD22-A101；
  高加速應力試驗(HTSL/HAST),JESD22-A110；
  高溫老化壽命試驗(HTOL),JESD22-A108；
  芯片靜電測試(ESD)：
  人體放電模式測試(HBM),JS001；
  元器件充放電模式測試(CDM),JS002；
  閂鎖測試(LU),JESD78；
  TLP；Surge/EOS/EFT；
  芯片IC失效分析(FA)：
  光學檢查(VI/OM)；
  掃描電鏡檢查(FIB/SEM)
  微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
  OBIRCH；Micro-probe;
  聚焦離子束微觀分析(FIB)；
  廣州廣電計量檢測股份有限公司（GRGT）失效分析實驗室AEC-Q技術團隊，執行過大量的AEC-Q測試案例，積累了豐富的認證試驗經驗，可為您提供更專業、更可靠的AEC-Q認證試驗服務。
  GRGT團隊技術能力：
  集成電路失效分析、芯片良率提升、封裝工藝管控
  集成電路競品分析、工藝分析
  芯片級失效分析方案turnkey
  芯片級靜電防護測試方案制定與平臺實驗設計
  靜電防護失效整改技術建議
  集成電路可靠性驗證
  材料分析技術支持與方案制定
  半導體材料分析手法
  芯片測試地點：廣電計量-廣州總部試驗室、廣電計量-上海浦東試驗室。
  芯片高溫老化壽命試驗：
  GRGT張經理186-2090+8348；
  zhanghp grgtest.com