AEC-Q100認(rèn)證是什么
AEC-Q100對(duì)IC的可靠性測(cè)試可細(xì)分為加速環(huán)境應(yīng)力可靠性、加速壽命模擬可靠性、封裝可靠性、晶圓制程可靠性、電學(xué)參數(shù)驗(yàn)證、缺陷篩查、包裝完整性試驗(yàn)，且需要根據(jù)器件所能承受的溫度等級(jí)選擇測(cè)試條件。需要注意的是，第三方難以獨(dú)立完成AEC-Q100的驗(yàn)證，需要晶圓供應(yīng)商、封測(cè)廠配合完成，這更加考驗(yàn)對(duì)認(rèn)證試驗(yàn)的整體把控能力。廣電計(jì)量將根據(jù)客戶的要求，依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)客戶的IC進(jìn)行評(píng)估，出具合理的認(rèn)證方案，從而助力IC的可靠性認(rèn)證。
如果成功完成根據(jù)本文件各要點(diǎn)需要的測(cè)試結(jié)果，那么將允許供應(yīng)商聲稱他們的零件通過了AEC Q100認(rèn)證。供應(yīng)商可以與客戶協(xié)商，可以在樣品尺寸和條件的認(rèn)證上比文件要求的要放寬些，但是只有完成要求實(shí)現(xiàn)的時(shí)候才能認(rèn)為零件通過了AEC Q100認(rèn)證。
芯片可靠性驗(yàn)證(RA)：
芯片級(jí)預(yù)處理(PC)&MSL試驗(yàn)、J-STD-020&JESD22-A113；
高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)(HTSL),JESD22-A103；
溫度循環(huán)試驗(yàn)(TC),JESD22-A104；
溫濕度試驗(yàn)(TH/THB),JESD22-A101；
高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HTST/HAST),JESD22-A110；
高溫老化壽命試驗(yàn)(HTOL),JESD22-A108；
芯片靜電測(cè)試(ESD)：
人體放電模式測(cè)試(HBM),JS001；
元器件充放電模式測(cè)試(CDM),JS002；
閂鎖測(cè)試(LU),JESD78；
芯片IC失效分析(FA)：
光學(xué)檢查(VI/OM)；
掃描電鏡檢查(FIB/SEM)
微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
OBIRCH；
Micro-probe;
聚焦離子束微觀分析(FIB)
彈坑試驗(yàn)(cratering)
芯片開封(decap)
芯片去層(delayer)
晶格缺陷試驗(yàn)(化學(xué)法)
PN結(jié)染色/碼染色試驗(yàn)
推拉力測(cè)試(WBP/WBS)
紅墨水試驗(yàn)
PCBA切片分析(X-section)
芯片材料分析：
高分辨TEM(形貌、膜厚測(cè)量、電子衍射、STEM、HAADF)；
SEM(形貌觀察、截面觀察、膜厚測(cè)量、EBSD)
Raman(Raman光譜)
AFM(微觀表面形貌分析、臺(tái)階測(cè)量)
AEC-Q100試驗(yàn)后芯片失效分析項(xiàng)目：
形貌分析技術(shù)：體視顯微鏡、金相顯微鏡、X射線透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、掃描電鏡、透射電鏡、聚焦離子束。
成分檢測(cè)技術(shù)：X射線能譜EDX、俄歇能譜AES、二次離子質(zhì)譜SIMS、光譜、色譜、質(zhì)譜
電分析技術(shù)：I-V曲線、半導(dǎo)體參數(shù)、LCR參數(shù)、集成電路參數(shù)、頻譜分析、ESD參數(shù)、電子探針、機(jī)械探針、絕緣耐壓、繼電器特性。
開封制樣技術(shù)：化學(xué)開封、機(jī)械開封、等離子刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕、化學(xué)腐蝕、切片。
缺陷定位技術(shù)：液晶熱點(diǎn)、紅外熱像、電壓襯度、光發(fā)射顯微像、OBIRCH。
AECQ100認(rèn)證測(cè)試周期：
3-4個(gè)月，提供全m的認(rèn)證計(jì)劃、測(cè)試、報(bào)告等服務(wù)。
測(cè)試地點(diǎn)：
廣電計(jì)量廣州總部、廣電計(jì)量上海試驗(yàn)室。
廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司（GRGT）失效分析實(shí)驗(yàn)室AEC-Q技術(shù)團(tuán)隊(duì)，執(zhí)行過大量的AEC-Q測(cè)試案例，積累了豐富的認(rèn)證試驗(yàn)經(jīng)驗(yàn)，可為您提供更專業(yè)、更可靠的AEC-Q認(rèn)證試驗(yàn)服務(wù)。
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