按計算,在SnO2中加入3~5%ThO2,5%Sm2.在600℃H2氣氛中燒結,制成厚膜器件,溫度為400℃。則可作為CO器件。上右是燒結溫度為600℃時氣敏器件特性。可看出,溫度在170~200℃內,對H2靈敏度曲線呈拋物線,而對CO改變溫度則影響不大,因此,利用器件這一特性H2。而燒結溫度為400℃制成器件,溫度為200℃時,對H2、CO靈敏度曲線形狀都近似呈直線,但對CO靈敏度要高得多,制成對CO敏感氣體傳感器。
氣敏二極管特性曲線左移看作二極管導通電壓發生改變,這一特性如果發生在場效應管柵極,將使場效應管閾值電壓UT改變。利用這一制成MOSFET型氣敏器件。
由不同原子構成分子會有獨特振動、轉動頻率,當其受到相同頻率紅外線照射時就會發生紅外吸收,從而引起紅外光強變化,通過測量紅外線強度變化就測得氣體濃度;是振動、轉動是兩種不同運動形態,這兩種運動形態會對應不同紅外吸收峰,振動和轉動本身也有多性;因此下氣體分子會有多個紅外吸收峰;
浙公網安備 33010802004809號 浙B2-20080178-157 Copyright 2025 線纜網 All Rights Reserved 技術支持:機電之家 服務熱線:0571-87774297 傳真:0571-87774298